Vytvoriť novú technológiu na ukladanie dát, ktorá by bola rýchlejšia, spoľahlivejšia a najmä trvácnejšia, sa firmy pokúšajú už prinajmenšom dve desaťročia. Poslednou významnou inováciou, s ktorou sa dnes stretávame bez toho, aby sme si to uvedomovali, sú pamäte typu NAND flash. Tento typ pamätí však bol vyvinutý pred viac ako štvrťstoročím. Na ďalšiu zásadnejšiu inováciu si muselo ľudstvo počkať až do roku 2015. Zaslúžili sa o ňu americké spoločnosti Intel a Micron, ktoré v týchto dňoch predstavili technológiu 3D XPoint, ktorá môže byť ďalšiu revolúciou v spôsobe ukladania dát a práce s nim. “O novom type pamäťovej technológie už hovorili aj iní výrobcovia, avšak v tomto prípade už hovoríme o možnej výrobe,” uviedol pre server BBC Bob O’Donnell zo spoločnosti Technalysis.
Až tisíckrát rýchlejšia ako súčasné flash pamäte
Takzvaná novalitná pamäť, ako ju označuje Intel, má byť alternatívou pre súčasné NAND flash pamäte, ktoré sú dnes používané napríklad v pamäťových kartách, USB kľúčoch, SSD ale aj pevných diskoch a v spotrebnej elektronike. Hlavný rozdiel je v rýchlosti, ktorá má byť až tisíckrát vyššia ako u flash pamätí, pričom kapacita sa má vyšplhať na násobky kapacít pamätí typu RAM. Obe spoločnosti predpokladajú, že rýchlejšia pamäť môže pomôcť pri vedeckom výskume a jej prínos ocenia aj firmy v hernom priemysle. Malopredajcovia môžu technológiu tiež využiť na rýchlejšie identifikovanie opakovaných podvodov pri finančných transakciách. Výskumníci v oblasti zdravotníctva zas môžu spracúvať a analyzovať väčšie objemy dát v reálnom čase a urýchliť proces genetickej analýzy.
Ak nové pamäte niečo zmenia, bude to najmä rýchlosť prístupu k určitému typu dát. Klasické SSD disky alebo operačné pamäte typu RAM (alebo dynamické pamäte typu DRAM) budú v počítačoch využívané aj naďalej, predovšetkým kvôli ich cene a mierne vyššej rýchlosti v prospech DRAM. “Táto technológia je až 1000-krát rýchlejšia, má až 1000-krát vyššiu výdrž než NAND a je 10-krát hustejšia než bežná pamäť,” uviedol Intel. Pamäte 3D XPoint sa budú zrejme nachádzať bližšie k procesoru, aby bolo možné k niektorým dátam pristupovať rýchlejšie.
Pamäte už nebudú využívať tranzistory. Bunka uchová len jeden bit dát
Technológia nepočíta s využitím tranzistorov, tak ako je tomu dnes. Takzvaná priesečníkov architektúra (z angl. cross-point) vytvára akúsi trojrozmernú šachovnicu, v ktorej sa pamäťové bunky nachádzajú v priesečníkoch slovných a bitových liniek a k článkom sa pristupuje individuálne. Vertikálne vodiče spájajú až 128 miliárd husto zoskupených pamäťových článkov. Každý z nich pritom ukladá len jeden bit dát. K pamäťovým článkom sa pristupuje pomocou meniaceho sa napätia zasielaného do každého sektora . Vďaka tomu nie je potrebné použitie tranzistorov, čo tiež zvyšuje kapacitu a znižuje vo výsledku aj náklady. Zjednodušene – dáta sa môžu zapisovať a načítavať v malých veľkostiach, čo znamená rýchlejší a efektívnejší proces načítavania a zapisovania.
Do výroby by sa mali pamäte dostať ešte počas tohto roka, technológia ako aj finálne produkty budú potom na trhu dostupné už na budúci rok.